三星电子此前表示，将在本季度（最近几周）开始使用3GAE（早期3nm级Gate Allagation）工艺进行量产。不过，此前三星的3nm良率仅为20%~30%，这可能会减缓量产进程，引起业界关注。据《电子时报》报道，有业内消息称，三星的3nm良率问题已经解决，3nm GAA工艺将如期量产。据IT House报道，三星在第一季度的电话会议上向股东保证，事情正在按计划进行。三星电子正试图消除股东对其代工部门生产力问题的担忧。在芯片生产方面，他还表示，5nm工艺已经进入量产成熟阶段，4nm芯片的产能将很快开始提高。“虽然4nm工艺的初始生产扩张进展缓慢，但我们现在专注于稳定性，并进入了预期的生产改进曲线。“通过改进3nm工艺的节点开发系统，三星在开发的每个阶段都建立了验证流程，”他说，并强调这将有助于缩短生产时间，提高盈利能力，确保稳定的供应。

在接下来的3nm节点上，三星比台积电更有侵略性，决定放弃FinFET晶体管技术，全球第一GAA晶体管工艺，台积电的3nm工艺仍以旧工艺为基础。三星此前曾表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，它可以使用纳米片器件制造MBCFET（多桥通道FET），从而大大提高晶体管的性能。三星表示，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，但在纸张参数方面仍优于台积电的3nm FinFET工艺。（来源：The House）